کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670496 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of ALD HfO2 thickness on charge trapping and mobility
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effects of HfO2 thickness on charge trapping and mobility were investigated. The impact of fast transient electron trapping on DC measurements results in underestimating channel carrier mobility. Scaling the physical thickness of the HfO2 dielectric causes less charge trapping and higher mobility. A HfO2 -based high-k solution requires fine-tuning the thickness of the high-k film to maintain a balance between electron trapping in thicker films and increased leakage current in thinner films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 218-221
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 218-221
نویسندگان
J.H. Sim, S.C. Song, P.D. Kirsch, C.D. Young, R. Choi, D.L. Kwong, B.H. Lee, G. Bersuker,