کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670501 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Coupling effect between the front and back interfaces in thin SOI MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The coupling effect between the front and back channels in thin SOI MOSFETs is investigated. Comparing the results in long channel and short channel, it was found that, in the short channel, series resistance affects the transconductance curve, impacts the coupling effect and complicates the distinction between the front and back channels. This fact was also confirmed by the device simulation. Furthermore, the difficulty to separate the two channels, on the electrical characteristic of multiple-gate structures, is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 245-248
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 245-248
نویسندگان
A. Ohata, S. Cristoloveanu, A. Vandooren, M. Cassé, F. Daugé,