کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670507 | 1450403 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First-principle calculations on gate/dielectric interfaces: on the origin of work function shifts
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The impact of interfacial chemistry occurring at dielectric/gate interface of P-MOS and N-MOS devices is reviewed through a quick literature survey. A specific emphasis is put on the way the bond polarization that occurs between a dielectric and a metal substrate impacts on the gate work function. First-principle simulations are then used to study the work function changes induced by dopant aggregation in nickel monosilicide metal gates. It is shown that the changes are a natural consequence of the variation of the interface polarization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 272-279
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 272-279
نویسندگان
G. Pourtois, A. Lauwers, J. Kittl, L. Pantisano, B. Sorée, S. De Gendt, W. Magnus, M. Heyns, K. Maex,