کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670508 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metal gate work function extraction using Fowler-Nordheim tunneling techniques
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we demonstrate the advantages of using Fowler-Nordheim tunneling on degenerately doped substrates as an alternative to the capacitance-based VFB-EOT method for determining metal gate work functions. The work functions of PVD and ALD TaN on SiO2 /p-Si are shown to be 4.4 and 4.8 eV respectively, which agrees well with standard internal photoemisson measurements (IPE) done on similar test capacitors. The method also detects barrier height shifts owing to the presence of interfacial ALD HfO2 as well as the effects of anneals at activation temperatures. The importance of proper measurement technique and stack preparation is also discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 280-283
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 280-283
نویسندگان
G. Sjöblom, L. Pantisano, T. Schram, J. Olsson, V. Afanas'ev, M. Heyns,