کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670510 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab initio study of charged states of H in amorphous SiO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We carried out an ab initio investigation of the charged states of hydrogen in amorphous SiO2 using a previously generated model structure. We found a large variety of equilibrium configurations as a result of the disordered atomic structure in our model system. The formation energies of H0, H+ and Hâ remain nevertheless close to the energetics found for α-quartz, with the charged species always more stable than the neutral one irrespective of the electron Fermi level.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 288-291
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 288-291
نویسندگان
Julien Godet, Alfredo Pasquarello,