کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9670511 1450403 2005 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxygen vacancies in amorphous silica: structure and distribution of properties
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Oxygen vacancies in amorphous silica: structure and distribution of properties
چکیده انگلیسی
We used an ab initio embedded cluster method to study and compare three charged states of the Si-Si dimer configurations of oxygen vacancies in α-quartz and amorphous silica. The Si-Si bond in the neutral vacancy remains largely the same in both crystalline and amorphous SiO2. In α-quartz the positively charged dimer E′ centre exists only as a meta-stable configuration, whereas in amorphous silica stable dimer configuration can be formed at favorable precursor sites. Our results demonstrate that negatively charged dimer oxygen vacancies can be formed in α-quartz.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 292-295
نویسندگان
, , , ,