کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670518 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Device degradation model for polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) based on anode hole fluence
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The cause of the device degradation in a SONOS structure has been investigated with using two different gate dielectric structures of the stacked oxide-nitride-oxide (ONO) and conventional single-layered oxide. It is found that the device degradation behaviors for the stacked-ONO gate structure have different polarity dependence from the conventional single oxide gate, especially under positive F-N gate stress condition. It is shown that the bi-modal device degradation behaviors can be explained by the fluence of high energetic anode hole based on the anode hole injection (AHI) model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 329-332
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 329-332
نویسندگان
Jeong-Hyong Yi, Sang-Don Lee, Jin-Hong Ahn, Hyungcheol Shin, Young-June Park, Hong Shick Min,