کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670519 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
New Charge Pumping model for the analysis of the spatial trap distribution in the nitride layer of SONOS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This work presents a new analytical model for low frequency Charge Pumping measurements on SONOS memory cells. The charge per cycle that recombines into the nitride layer and its frequency dependence allow us to study the spatial distribution of nitride traps. Experimental results agree with reported nitride trap concentrations and show an interface between the nitride and the silicon substrate in good agreement with TEM pictures of the SONOS devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 333-336
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 333-336
نویسندگان
A. Arreghini, F. Driussi, D. Esseni, L. Selmi, M.J. van Duuren, R. van Schaijk,