کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670521 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bias-stress-induced evolution of the dielectric properties of porous-ULK/ copper advanced interconnects
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The dielectric properties of porous ULK/Cu interconnects designed for sub 65Â nm nodes are degraded at high bias-stress. The resulting increase of dielectric constant and defect density can be estimated from the Poole-Frenkel modeling of the leakage currents above 1Â MV/cm. More generally, the porous SiCOH dielectric materials showing this transport mechanism appear to be inherently less reliable when their initial k value is the lowest. This trend is obviously a major issue for further downscaling developments of porous ULK/Cu interconnects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 345-348
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 345-348
نویسندگان
C. Guedj, X. Portier, F. Mondon, V. Arnal, J.F. Guillaumond, L. Arnaud, J.P. Barnes, V. Jousseaume, A. Roule, S. Maitrejean, L.L. Chapelon, G. Reimbold, J. Torres, G. Passemard,