کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670526 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
HfO2/spacer-interface breakdown in HfO2 high-κ/poly-silicon gate stacks
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The gate dielectric breakdown induced microstructral changes in HfO2 high-κ gate stacks are analyzed using high resolution transmission electron microscopy. A new failure mechanism along the interface of HfO2/spacer has been observed in HfO2 high-κ gate stacks. This breakdown which is more common in accumulation mode stressing conditions in HfO2 high-κ /poly-Si gate stacks has not been observed in oxynitride gate dielectrics. It is believed that this interfacial breakdown could be dependent on enhanced electric field at the source/drain extension regions and on the corner geometry of the high-/poly-Si gate stacks.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 370-373
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 370-373
نویسندگان
R. Ranjan, K.L. Pey, C.H. Tung, L.J. Tang, B. Elattari, T. Kauerauf, G. Groeseneken, R. Degraeve, D.S. Ang, L.K. Bera,