کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670537 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Infrared properties of ultrathin oxides on Si(1Â 0Â 0)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We study the infrared absorption spectra of ultrathin SiO2 films on Si(1Â 0Â 0) using a first-principles approach, and adopting a model Si(1Â 0Â 0)-SiO2 interface with a realistic transition structure. We calculate both the transverse-optical and the longitudinal-optical infrared absorption spectra across the interface, and show that the red shift of the high-frequency peaks observed experimentally with decreasing oxide thickness originates from the softer vibrational frequencies of the substoichiometric interfacial layer. From the calculated infrared properties, we are able to assess the effect of the frequency softening on the corresponding static permittivity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 420-423
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 420-423
نویسندگان
Feliciano Giustino, Alfredo Pasquarello,