کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9789691 | 1512914 | 2005 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ground state transition energies in biased InAs/GaAs quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we report on the calculation of the electron-hole ground-state transition energies in InAs/GaAs quantum dots. We examine how the external electric field and the basis radius rc of the quantum dots affect the electron-hole ground-state transition energies. The results presented in this work are in sound agreement with recent experimental observations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 27, Issues 1â2, March 2005, Pages 67-76
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 27, Issues 1â2, March 2005, Pages 67-76
نویسندگان
Y. Turki-Ben Ali, G. Bastard, R. Bennaceur,