کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9789714 | 1512914 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A theoretical comparison of the 1.3 μm doped InxGa1âxNyAs1ây/GaAs quantum well lasers for different x/y concentrations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A comparative study of the InxGa1-xNyAs1-y/GaAs quantum wells (QWs) for 1.3 μm laser emission with different x/y concentrations, has been undertaken, for the first time, involving gain characteristics with doping. By considering different x/y concentrations, we present the influence of doping on transparency carrier density, gain properties and spontaneous emission factor of 1.3 μm InxGa1-xNyAs1-y/GaAs-strained QWs and compare with an equivalent nitrogen-free 1.3 μm InxGa1-xAs/GaAs laser structure. This study provides useful information for the optimazition of doped InxGa1-xNyAs1-y/GaAs on the basis of 1.3 μm emission wavelength.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 27, Issues 1â2, March 2005, Pages 253-261
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 27, Issues 1â2, March 2005, Pages 253-261
نویسندگان
M. OduncuoÄlu, B. Gönül,