Keywords: نانوبلورهای Ge; Ge nanocrystals; Evolution of defects; HRTEM; Stress;
مقالات ISI نانوبلورهای Ge (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
SHI irradiation fluence and energyloss dependence effects on Ge NCs with different initial sizes embedded in SiO2
Keywords: نانوبلورهای Ge; Ge nanocrystals; GIXRD; Micro-Raman; SHI irradiation
Uniform fabrication of Ge nanocrystals embedded into SiO2 film via neutron transmutation doping
Keywords: نانوبلورهای Ge; Ge nanocrystals; Ion implantation; Neutron transmutation doping; Photoluminescence property
Ion beam irradiation effects on Ge nanocrystals synthesized by using RF sputtering followed by RTA
Keywords: نانوبلورهای Ge; Ge nanocrystals; Ion irradiation; XRD; Raman spectroscopy; TEM;
Annealing temperature effect on structure and electrical properties of films formed of Ge nanoparticles in SiO2
Keywords: نانوبلورهای Ge; Ge-SiO2 films; Ge nanocrystals; Raman spectroscopy; Electrical behaviour; AFM;
Ge nanocrystals in HfO2/SiN dielectric stacks by low energy ion beam synthesis
Keywords: نانوبلورهای Ge; Ge-NCs; Ge nanocrystals; Ion beam synthesis; HfO2/Si3N4 stacks; Non-volatile-memories;
Size dependent charge storage characteristics of MBE grown Ge nanocrystals on surface oxidized Si
Keywords: نانوبلورهای Ge; Molecular beam epitaxy; Ge nanocrystals; Floating gate memory;
Photoluminescence characteristics of Er doped Ge nanocrystals embedded in alumina matrix
Keywords: نانوبلورهای Ge; Ge nanocrystals; Photoluminescence; Pulsed laser deposition;
Multilayers of Ge nanocrystals embedded in Al2O3 matrix: Structural and electrical studies
Keywords: نانوبلورهای Ge; Ge nanocrystals; Laser ablation deposition; GISAXS; TEM; RBS; Electrical measures
Ultra-low-energy ion-beam-synthesis of Ge nanocrystals in thin ALD Al2O3 layers for memory applications
Keywords: نانوبلورهای Ge; Ion implantation; Ge nanocrystals; Nanocrystal memory
Investigation of Auger recombination in Ge and Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix
Keywords: نانوبلورهای Ge; 78.55.−n; 72.20.JvSilicon nanocrystals; Ge nanocrystals; Auger recombination
Effect of crystallinity on the memory effect of Ge nanocrystals synthesized by atom beam sputtering
Keywords: نانوبلورهای Ge; 73.21.La; 73.40.Qv; 78.30.âj; Ge nanocrystals; Memory effect; Raman;
Electrical and ellipsometry study of sputtered SiO2 structures with embedded Ge nanocrystals
Keywords: نانوبلورهای Ge; 81.15.Cd; 81.05ât; 78.67.Bf; 78.20.âe; Sputtering; SiO2 structure; Annealing; Ge nanocrystals;
Ellipsometric study of crystallization of amorphous Ge thin films embedded in SiO2
Keywords: نانوبلورهای Ge; 81.05.Cy; 81.05.Gc; 78.20.Ci; 73.61.Cw; 73.63.Bd; 64.70.Nd; 68.60.DvSpectroscopic ellipsometry; Crystallization of a-Ge thin films; Quantum confinement of E1 transition; Ge nanocrystals
Capacitance–voltage characteristics of MOS capacitors with Ge nanocrystals embedded in ZrO2 gate material
Keywords: نانوبلورهای Ge; Ge nanocrystals; ZrO2; Floating gate memory
On the saturation mechanism in the Ge nanocrystals-based non-volatile memory
Keywords: نانوبلورهای Ge; Ge nanocrystals; Charging; Memory; C–V; Retention; Saturation
Electronic properties of Ge nanocrystals for non volatile memory applications
Keywords: نانوبلورهای Ge; Ge nanocrystals; Memories; Charging; MOS
Formation of Ge nanocrystals and SiGe in PECVD grown SiNx:Ge thin films
Keywords: نانوبلورهای Ge; Raman Scattering Spectroscopy; Ge nanocrystals;