دانلود رایگان مقالات نشریه ISI فیلم های نازک جامد

Multiple energy transfer in porous silicon/Rh6G/RhB nanocomposite evidenced by photoluminescence and its polarization memory

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Structural change of direct silicon bonding substrates by interfacial oxide out-diffusion annealing

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effective mass and subband structure of strained Si in a PMOS inversion layer with external stress

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

High-quality 6 inch (111) 3C-SiC films grown on off-axis (111) Si substrates

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Giant growth of single crystalline Ge on insulator by seeding lateral liquid-phase epitaxy

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Al-induced low-temperature crystallization of Si1 − xGex (0 < x < 1) by controlling layer exchange process

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Liquid-phase epitaxial growth of Ge island on insulator using Ni-imprint-induced Si crystal as seed

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Kinetic investigation of the electrochemical synthesis of vertically-aligned periodic arrays of silicon nanorods on (001)Si substrate

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Composition redistribution of self-assembled Ge islands on Si (001) during annealing

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Novel chemical precursors and novel CVD strategies enabling low temperature epitaxy of Si and Si:C alloys

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Optical and structural investigation of Si nanoclusters in amorphous hydrogenated silicon

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Surface phonons and exciton–polariton coupling in SiC nanocrystals

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Numerical studies of temperature profile and hydrodynamic phenomena during excimer laser assisted heteroepitaxial growth of patterned silicon and germanium bi-layers

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Controlling dislocation positions in silicon germanium (SiGe) buffer layers by local oxidation

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Heavy carbon atomic-layer doping at Si1 − xGex/Si heterointerface

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Formation processes of Ge3N4 films by radical nitridation and their electrical properties

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Metal-oxide-semiconductor SiGe/Si quantum dot infrared photodetectors with delta doping in different positions

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Strain engineering of nanoscale Si MOS devices

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

The gap state density of micro/nano-crystalline silicon active layer on flexible substrate

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

TCAD simulation of hydrogenated amorphous silicon-carbon/microcrystalline-silicon/hydrogenated amorphous silicon-germanium PIN solar cells

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Si/Ge/Si double heterojunction solar cells

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Self-assembled Ge/Si hetero-nanocrystals for nonvolatile memory application

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Long range Mn segregation and intermixing during subsequent deposition of Ge capping layers on Mn5Ge3/Ge(111) heterostructures

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxial growth of ferromagnetic Heusler alloys for group-IV semiconductor spintronic devices

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Investigation of the electrical properties of the alkaline-earth oxides BaO, SrO and Ba0.7Sr0.3O on Si(001) as alternative gate dielectrics

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Simulation of a nanoscale strained Si NMOSFET with a silicon-carbon alloy stressor

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Low temperature growth of Ge1 − xSnx buffer layers for tensile–strained Ge layers

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Multiscale simulation for epitaxial silicon carbide growth by chlorides route

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Analysis of silicon germanium vapor phase epitaxy kinetics

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Si1−xGex growth using Si3H8 by low temperature chemical vapor deposition

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Antimony surfactant for epitaxial growth of SiGe buffer layers at high deposition temperatures

7 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Formation and characterization of hybrid nanodot stack structure for floating gate application

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

B atomic layer doping of Ge

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Use of p- and n-type vapor phase doping and sub-melt laser anneal for extension junctions in sub-32 nm CMOS technology

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Enabling Moore's Law beyond CMOS technologies through heteroepitaxy

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Electrical characteristics of thermal CVD B-doped Si films on highly strained Si epitaxially grown on Ge(100) by plasma CVD without substrate heating

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Optimization of external poly base sheet resistance in 0.13 μm quasi self-aligned SiGe:C HBTs

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Contents

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Analysis of SiGe/Si quantum dot superlattices grown by low-pressure chemical vapor deposition for thin solar cells

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Germanium for silicon photonics

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Short-channel epitaxial germanium pMOS transistors

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Influence of induced stress on enrichment kinetic during local Ge condensation of SiGe/SOI mesas

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

High permittivity materials for oxide gate stack in Ge-based metal oxide semiconductor capacitors

8 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Quest of electric field controlled spintronics in MnGe

9 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effect of thickness on structural and magnetic properties of Mn5Ge3 films grown on Ge(111) by solid phase epitaxy

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Structural properties of epitaxial SrHfO3 thin films on Si (001)

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Interface analysis of Ge ultra thin layers intercalated between GaAs substrates and oxide stacks

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Chemical vapor deposition of large area few layer graphene on Si catalyzed with nickel films

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effect of isochronal hydrogen annealing on surface roughness and threading dislocation density of epitaxial Ge films grown on Si

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه