دانلود رایگان مقالات نشریه ISI فیلم های نازک جامد

Electrical characterization of high-k gate dielectrics on Ge with HfGeN and GeO2 interlayers

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Atomistic modeling of defect diffusion and interdiffusion in SiGe heterostructures

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Formation of uniaxially strained SiGe by selective ion implantation technique

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Development of analytical model for strained silicon relaxation on (100) fully relaxed Si0.8Ge0.2 pseudo-substrates

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Efficient relaxation of strained-SiGe layers induced by thermal oxidation

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Tensile strain engineering of Si thin films using porous Si substrates

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

325 nm-laser-excited micro-photoluminescence for strained Si films

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Dopant incorporation in thin strained Si layers implanted with Sb

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Future challenges in CMOS process modeling

7 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Defect introduction in Ge during inductively coupled plasma etching and Schottky barrier diode fabrication processes

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

P+/n junction leakage in thin selectively grown Ge-in-STI substrates

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Low-frequency noise assessment of the silicon passivation of Ge pMOSFETs

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

I–V and low frequency noise characterization of poly and amorphous silicon Ti- and Co-salicide resistors

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Germanium on insulator near-infrared photodetectors fabricated by layer transfer

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Overlayer stress effects on defect formation in Si and Ge

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effects of tunnel oxide process on SONOS flash memory characteristics

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Device performance of p-Ge MOSFETs at liquid nitrogen temperature

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effects of electron irradiation on SiGe devices

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Deep level transient spectroscopy study for the development of ion-implanted silicon field-effect transistors for spin-dependent transport

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Ternary GeSiSn alloys: New opportunities for strain and band gap engineering using group-IV semiconductors

7 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Fabrication of high quality Ge virtual substrates by selective epitaxial growth in shallow trench isolated Si (001) trenches

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Synthesis of strained SiGe on Si(100) by pulsed laser induced epitaxy

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Single-crystalline Si grown on single-crystalline Gd2O3 by modified solid-phase epitaxy

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Non-melting annealing of silicon by CO2 laser

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Comparison of the top-down and bottom-up approach to fabricate nanowire-based silicon/germanium heterostructures

7 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Influence of the epitaxial growth and device processing on the overlay accuracy during processing of the d-DotFET

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Structural study of Si1 − xGex nanocrystals embedded in SiO2 films

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Subject Index

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Formation of germanates on germanium by chemical vapor treatment

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Amorphization, recrystallization and end of range defects in germanium

7 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Hydrogen in amorphous Si and Ge during solid phase epitaxy

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Defects in Ge caused by sub-amorphizing self-implantation: Formation and dissolution

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Majority carrier capture rates for transition metal impurities in germanium

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

High temperature nucleation of oxygen precipitates in Germanium-doped Czochralski silicon

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Effect of Germanium content and strain on the formation of extended defects in ion implanted Silicon/Germanium

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Defect control by Al deposition and the subsequent post-annealing for SiGe-on-insulator substrates with different Ge fractions

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Correlated out-diffusion of nitrogen and in-diffusion of self-interstitials resulting in elimination of nitrogen-related deep centres

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Electrical properties of nitrogen-doped Float-Zoned silicon annealed in a range of 200 to 900 °C

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Thermally activated conduction mechanisms in Silicon Nitride MIS structures

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Observation of a paramagnetic defect at the epitaxial Ge3N4/(111)Ge interface by electron spin resonance

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Evolution of SiO2/Ge/HfO2(Ge) multilayer structure during high temperature annealing

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Interdiffusion and growth of chromium silicide at the interface of Cr/Si(As) system during rapid thermal annealing

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Si versus Ge for future microelectronics

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Electronic structural details of donor–vacancy complexes in Si-doped Ge and Ge-doped Si

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Radiation enhanced diffusion of B in crystalline Ge

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Dopant diffusion and activation induced by sub-melt laser anneal within the co-implanted p+ polycrystalline silicon gate used in CMOS technologies

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Modeling of phosphorus diffusion in Ge accounting for a cubic dependence of the diffusivity with the electron concentration

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Atomic scale study of a MOS structure with an ultra-low energy boron-implanted silicon substrate

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Characterization of Arsenic segregation at Si/SiO2 interface by 3D atom probe tomography

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Equilibrium segregation coefficient and solid solubility of B in Czochralski Ge crystal growth

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Theory of defects in Si and Ge: Past, present and recent developments

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

First-principles study of near surface point defects stability in Si (100) and SiGe(100)

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Molecular dynamics simulation of silicon oxidization

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Transfer of physically-based models from process to device simulations: Application to advanced SOI MOSFETs

4 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Numerical analysis of temperature profile and thermal-stress during excimer laser induced heteroepitaxial growth of patterned amorphous silicon and germanium bi-layers deposited on Si(100)

6 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه

Full-Band Monte Carlo investigation of hole mobilities in SiGe, SiC and SiGeC alloys

5 صفحه فرمت PDF سال انتشار : 2010 دانلود متن کامل مقاله ISI سفارش ترجمه