کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10639885 | 995734 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of charges carrier density in phosphorus and boron doped SiNx:H layers for crystalline silicon solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We investigate the properties of phosphorus and boron-doped silicon nitride films. ⺠Phosphorus-doped layers yield higher lifetimes than undoped ones. ⺠The fixed charges density decreases when increasing the films phosphorus content. ⺠Boron-doped films feature very low lifetimes. ⺠These doped layers are of particular interest for crystalline silicon solar cells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 178, Issue 9, 15 May 2013, Pages 580-585
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 178, Issue 9, 15 May 2013, Pages 580-585
نویسندگان
B. Paviet-Salomon, S. Gall, A. Slaoui,