کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1521984 | 995301 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
ZnO and copper indium chalcogenide heterojunctions prepared by inexpensive methods
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Devices prepared with CISe and CISeS show a clear photo-response. The introduction of a buffer layer of TiO2 into the ZnO/chalcogenide interface was necessary to detect photocurrent. The presence of CISeS improves the response of the cell, with higher values of short circuit current density, open circuit potential and fill factor. These promising results show that it is possible to prepare photovoltaic heterojunctions by depositing chalcogenides onto porous ZnO substrates using low-cost solution-based techniques.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 148, Issue 3, 15 December 2014, Pages 1071-1077
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 148, Issue 3, 15 December 2014, Pages 1071-1077
نویسندگان
M. Berruet, Y. Di Iorio, M. Troviano, M. Vázquez,