کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1523422 | 995324 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron transport properties of some new 4-tert-butylcalix[4]arene derivatives in thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠4-tert-butylcalix(4)arene derivatives in thin films are p-type semiconductors. ⺠The electron transfer is favored by their extended conjugation and packing capacity. ⺠The band gap representation is suitable in the higher temperature range. ⺠The Mott's VRH conduction model may be applied in the lower temperature range. ⺠As-prepared organic compounds are promising for thermistor applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 135, Issue 1, 16 July 2012, Pages 123-129
Journal: Materials Chemistry and Physics - Volume 135, Issue 1, 16 July 2012, Pages 123-129
نویسندگان
Liviu Leontie, Ramona Danac, Mihaela Girtan, Aurelian Carlescu, Alicia Petronela Rambu, Gheorghe I. Rusu,