کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1529295 | 995747 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature and magnetic field effect on oscillations observed in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We studied p-i-n GaInNAs MQW devices as function of temperature and magnetic field. ⺠Observed oscillations in the sample current-voltage curves at low temperature. ⺠Shift in oscillation position with magnetic field described by Landau level split. ⺠Resonant tunnelling and thermionic emission used to describe oscillations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 177, Issue 10, 5 June 2012, Pages 729-733
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 177, Issue 10, 5 June 2012, Pages 729-733
نویسندگان
H.M. Khalil, S. Mazzucato, S. Ardali, O. Celik, S. Mutlu, B. Royall, E. Tiras, N. Balkan, J. Puustinen, V.-M. Korpijärvi, M. Guina,