کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4764556 | 1362323 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Full paper/MémoireElectronic structure of GaN nanotubes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nanotube properties are strongly dependent on their structures. In this study, gallium nitride nanotubes (GaNNTs) are analyzed in armchair and zigzag conformations. The wurtzite GaN (0001) surface is used to model the nanotubes. Geometry optimization is performed at the PM7 semiempirical level, and subsequent single-point energy calculations are carried out via Hartree-Fock and B3LYP methods, using the 6-311G basis set. Semiempirical and ab initio methods are used to obtain strain energy, charge distribution, dipole moment, |HOMO-LUMO| gap energy, density of states and orbital contribution. The gap energy of the armchair structure is 3.82Â eV, whereas that of the zigzag structure is 3.92Â eV, in agreement with experimental data.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Comptes Rendus Chimie - Volume 20, Issue 2, February 2017, Pages 190-196
Journal: Comptes Rendus Chimie - Volume 20, Issue 2, February 2017, Pages 190-196
نویسندگان
Johnathan M. Sodré, Elson Longo, Carlton A. Taft, João B.L. Martins, José D. dos Santos,