کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5360227 | 1388258 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wet sulfur passivation of GaSb(1Â 0Â 0) surface for optoelectronic applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A comparative analysis of the properties of the non-passivated and S-passivated GaSb(1Â 0Â 0) surfaces has been performed through PL, AFM and RHEED characterization. The samples treated with a 1Â M Na2S aqueous solution demonstrate an increase in the 5Â K PL intensity. According to AFM data, the annealing of the S-passivated GaSb(1Â 0Â 0) leads to the formation of the clean flat (1Â 0Â 0) surface. Moreover, after annealing the PL intensity of the S-passivated GaSb(1Â 0Â 0) surfaces decreases by 20%, whereas for the non-passivated samples it drops by more than a factor of 4. The method of wet sulfur passivation has shown great effectiveness in pre-epitaxial processing for LPE and MBE growth of the GaSb-related materials for optoelectronics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 18, 1 July 2010, Pages 5644-5649
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 18, 1 July 2010, Pages 5644-5649
نویسندگان
E.V. Kunitsyna, T.V. L'vova, M.S. Dunaevskii, Ya.V. Terent'ev, A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov, Yu.P. Yakovlev,