کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6944112 | 1450372 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microscopy study of the conductive filament in HfO2 resistive switching memory devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- We study resistive switching memories with Hf or Ti metal oxygen exchange layers.
- STEM dark field and EELS are used to observe the conductive filament.
- The filament is a cone-shaped metal-rich region in the HfO2 dielectric layer.
- Composition of the metallic filament is dominated by Hf or Ti depending on the OEL.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 75-78
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 75-78
نویسندگان
S. Privitera, G. Bersuker, B. Butcher, A. Kalantarian, S. Lombardo, C. Bongiorno, R. Geer, D.C. Gilmer, P.D. Kirsch,