کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594747 | 1507962 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
AFM scratching and metal deposition through insulating layers on silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The present work deals with semiconductor nano-patterning technique based on scratching an insulating layer using the tip of either a micro-indenter or an atomic force microscope. The insulating or masking layer can be a thin oxide film (10Â nm thick) grown on a p-Si (1Â 0Â 0) or self-assembled organic monolayer covalently bound to a n-Si (1Â 1Â 1) surface. Electrochemical techniques are used for Cu deposition in the openings made by scratching through the masking layers. Engraving properties at both micro- and nanoscale are investigated. It is shown that under optimized deposition parameters selective and well-defined metallic structures onto Si surfaces can be produced with a lateral resolution in the several 100Â nm range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 597, Issues 1â3, 15 December 2005, Pages 11-19
Journal: Surface Science - Volume 597, Issues 1â3, 15 December 2005, Pages 11-19
نویسندگان
L. Santinacci, Y. Zhang, P. Schmuki,