کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670512 | 1450403 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Current status and challenges of ferroelectric memory devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In addition, we present a few new concepts based on ferroresistive films, strain induced enhanced ferroelectricity, and lead-free ferroelectrics which may be relevant for the future FeRAM technology. Finally, a new challenging concept of an entire organic ferroelectric field effect transistor (OFeFET) is briefly discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 296-304
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 296-304
نویسندگان
H. Kohlstedt, Y. Mustafa, A. Gerber, A. Petraru, M. Fitsilis, R. Meyer, U. Böttger, R Waser,