کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9792758 | 1513678 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anisotropy in the wet-etching of semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
شیمی مواد
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Anisotropy in the wet-etching of semiconductors Anisotropy in the wet-etching of semiconductors](/preview/png/9792758.png)
چکیده انگلیسی
The surface chemistry and electrochemistry of the anisotropic etching of semiconductors are reviewed. Recent insights into the anisotropic chemical etching of silicon in alkaline solution and of electrochemical etching of anisotropic pores in n-type semiconductors are described. The possible role of galvanic effects in open-circuit etching is emphasized.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Opinion in Solid State and Materials Science - Volume 9, Issues 1â2, FebruaryâApril 2005, Pages 84-90
Journal: Current Opinion in Solid State and Materials Science - Volume 9, Issues 1â2, FebruaryâApril 2005, Pages 84-90
نویسندگان
John J. Kelly, Harold G.G. Philipsen,