کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5362477 | 1388287 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth process of GaAs ripples as a function of incident Ar-ion dose
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Ripple morphology on GaAs is a promising topic of research. ⺠We report here the physical mechanism of ripple formation on GaAs sputtered by 60 keV Ar-ions at an angle of 60°. ⺠The results are described by the existing formalism of ripple pattern formation on surfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 9, 15 February 2012, Pages 4152-4155
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 9, 15 February 2012, Pages 4152-4155
نویسندگان
D. Datta, Shyamal Mondal, S.R. Bhattacharyya,