کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
701185 | 1460818 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface-channel MESFET with boron-doped contact layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this investigation an attempt has been made to incorporate a high temperature stable refractory metal ohmic contact deposited onto an oxygen terminated contact area into the surface channel field effect transistor concept based on a H-terminated surface in the channel area. First transistors were fabricated. A drain current density of 75 mA/mm and a threshold voltage of Vth = −1.5 V was obtained for 1 µm gate length.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 4–5, April–May 2008, Pages 732–735
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 4–5, April–May 2008, Pages 732–735
نویسندگان
D. Kueck, H. El-Hajj, A. Kaiser, E. Kohn,