کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
701202 | 1460818 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Edge termination techniques for p-type diamond Schottky barrier diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The superior material properties of diamond power semiconductor devices make them a crucial technology. For high-voltage applications, optimized structures such as electric field edge termination are required for devices. In this paper, we have investigated the optimization of electric field relaxation techniques in oxygen-terminated p-type diamond Schottky barrier diodes and made comparisons with regard to electric field crowding and breakdown in oxides. Due to the low dielectric constant of diamond, Al2O3 is appropriate for the fabrication of field plate structures in diamond power devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 4–5, April–May 2008, Pages 809–812
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 4–5, April–May 2008, Pages 809–812
نویسندگان
K. Ikeda, H. Umezawa, S. Shikata,