کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10142747 | 1646110 | 2018 | 27 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of the built-in electric field on electron Raman scattering of parabolic InxGa1âxN/GaN quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, we have theoretically studied differential cross section (DCS) of Raman scattering of InxGa1âxN/GaN quantum dot (QD) within the frame work of effective-mass approximation at 0K. Numerical calculations show that built-in electric field has a significant influence on the DCS. We find that the change of built-in electric field and parabolic frequencies can induce Raman shifts, and the full width at half maximum (FWHM) of Raman spectrum increases with increasing built-in electric field.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chinese Journal of Physics - Volume 56, Issue 5, October 2018, Pages 1894-1902
Journal: Chinese Journal of Physics - Volume 56, Issue 5, October 2018, Pages 1894-1902
نویسندگان
Xiaotong Guo, Cuihong Liu,