کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10409082 | 893935 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
AlGaN ultraviolet metal-semiconductor-metal photodetectors grown on Si substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
AlGaN ultraviolet metal-semiconductor-metal photodetectors (PDs) with low temperature (LT)-AlN and LT-GaN cap layers were prepared on Si substrates. Unlike PDs prepared on sapphire substrates, no markedly reduction in dark current was observed from the PD with LT-GaN cap layer. With an incident wavelength of 305 nm and an applied bias of 5 V, it was found that peak responsivities were 0.02, 0.005 and 0.007 A/W for the PDs with LT-AlN cap layer, with LT-GaN cap layer and without cap layer, respectively. The corresponding detectivities were 2.2 Ã 1010, 1.36 Ã 1010 and 1.55 Ã 1010 cm Hz0.5 Wâ1, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 135, Issue 2, 15 April 2007, Pages 502-506
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 135, Issue 2, 15 April 2007, Pages 502-506
نویسندگان
S.J. Chang, T.K. Ko, J.K. Sheu, S.C. Shei, W.C. Lai, Y.Z. Chiou, Y.C. Lin, C.S. Chang, W.S. Chen, C.F. Shen,