کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10409322 | 893968 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization and simulation of Avalanche PhotoDiodes for next-generation colliders
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This work reports on a novel effort to use Avalanche PhotoDiodes (APDs) to construct an active pixel detector for charged particles in collider experiments. A dual-beam Focused Ion Beam setup was used to characterize the response of the device. Results on the sensitivity of the guard structures separating pixels are compared to a detailed Monte Carlo simulation. These results suggest that, through control of the doping concentration, devices with a much improved fill factor can be achieved. A new technology is proposed that could elevate the fill factor to 100%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 172, Issue 1, December 2011, Pages 181-188
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 172, Issue 1, December 2011, Pages 181-188
نویسندگان
A. Vilà , J. Trenado, A. Arbat, A. Comerma, D. Gascon, Ll. Garrido, A. Dieguez,