کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10409344 | 893968 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wafer-level bonding and direct electrical interconnection of stacked 3D MEMS by a hybrid low temperature process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The presented fabrication technology enables the direct integration of electrical interconnects during low temperature wafer bonding of stacked 3D MEMS and wafer-level packaging. The low temperature fabrication process is based on hydrophilic direct bonding of plasma activated Si/SiO2 surfaces and the simultaneous interconnection of two metallization layers by eutectic bonding of ultra-thin AuSn connects. This hybrid wafer-level bonding and interconnection technology allows for the integration of metal interconnects and multiple materials in stacked MEMS devices. The process flow is successfully validated by fabricating test structures made out of a two wafer stack and featuring multiple ohmic electrical interconnects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 172, Issue 1, December 2011, Pages 341-346
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 172, Issue 1, December 2011, Pages 341-346
نویسندگان
S. Kühne, C. Hierold,