کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10412366 | 894894 | 2005 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First-order piezoresistance coefficients in silicon crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
For silicon crystals with electron conductivity it was obtained a good agreement between the calculated and experimental data in a wide range of impurity concentration (1016-1020 cmâ3). For crystals with the hole conductivity the satisfactory quantitative agreement was obtained for low and medium levels of the impurity concentrations (â¤3 à 1018 cmâ3).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 118, Issue 1, 31 January 2005, Pages 33-43
Journal: Sensors and Actuators A: Physical - Volume 118, Issue 1, 31 January 2005, Pages 33-43
نویسندگان
S.I. Kozlovskiy, I.I. Boiko,