کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10706110 | 1023312 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Noise behavior of amorphous GexSi1âxOy for microbolometer applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Noise behavior of amorphous GexSi1âxOy for microbolometer applications Noise behavior of amorphous GexSi1âxOy for microbolometer applications](/preview/png/10706110.png)
چکیده انگلیسی
High resistivity sputtered a-GexSi1âxOy compound was investigated for application to microbolometer fabrication for thermal imaging. Noise behavior of the fabricated bolometers was measured, showing no evidence of random telegraph switching (RTS) noise. 1/f noise was measured at several measuring currents, resulting in a 1/f noise factor of 2.9Â ÃÂ 10â11 that can be used for further design and modeling.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 46, Issue 6, August 2005, Pages 468-472
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 46, Issue 6, August 2005, Pages 468-472
نویسندگان
A. Ahmed, R.N. Tait,