کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10709845 1024537 2011 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resonant tunneling in magnetic semiconductor tunnel junctions with arbitrary magnetic alignments
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Resonant tunneling in magnetic semiconductor tunnel junctions with arbitrary magnetic alignments
چکیده انگلیسی
►Double barrier FS tunnel junctions. ►Varied angle between the magnetic directions of two FS's. ►The TMR ratio linearly varies with sin2(θ/2). ►The behavior of TMR with the variation of quantum well width is periodic. ►The features of the spin-polarized resonant tunneling for the heavy and light holes are much different.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 323, Issue 6, March 2011, Pages 717-722
نویسندگان
, ,