کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10709845 | 1024537 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resonant tunneling in magnetic semiconductor tunnel junctions with arbitrary magnetic alignments
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
âºDouble barrier FS tunnel junctions. âºVaried angle between the magnetic directions of two FS's. âºThe TMR ratio linearly varies with sin2(θ/2). âºThe behavior of TMR with the variation of quantum well width is periodic. âºThe features of the spin-polarized resonant tunneling for the heavy and light holes are much different.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 323, Issue 6, March 2011, Pages 717-722
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 323, Issue 6, March 2011, Pages 717-722
نویسندگان
J. Shen, Y.C. Tao,