کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10710046 | 1024556 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bias voltage effect on electron tunneling across a junction with a ferroelectric-ferromagnetic two-phase composite barrier
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Electron tunneling across a ferroelectric-ferromagnetic composite barrier junction. ⺠TMR effect is different under the same value but opposite direction bias voltage. ⺠This directionality of the electron tunneling enhances with increasing bias voltage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 324, Issue 6, March 2012, Pages 1067-1070
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 324, Issue 6, March 2012, Pages 1067-1070
نویسندگان
Jian Wang, Sheng Ju, Z.Y. Li,