کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10726919 | 1037332 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of preferentially-oriented AlN films on amorphous substrate by pulsed laser deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Few works can be found regarding the deposition of AlN on amorphous substrate. ⺠AlN crystal growth on amorphous substrate has been studied, which is important to AlN/DLC SAW applications. ⺠Evolution of preferential orientation of AlN film with different N2 pressure is deeply discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 375, Issue 33, 1 August 2011, Pages 3007-3011
Journal: Physics Letters A - Volume 375, Issue 33, 1 August 2011, Pages 3007-3011
نویسندگان
Z.P. Wang, A. Morimoto, T. Kawae, H. Ito, K. Masugata,