کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10727434 | 1037577 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Threading dislocation densities in semiconductor crystals: A geometric approach
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Geometric model describing the origin of the observed shallow levels in semiconductors threaded by a dislocation density. ⺠Binding charge carriers in Landau-like levels due to the presence of a density of screw dislocations. ⺠Bound states for a spin-half quantum particle for both repulsive and attractive Coulomb-like potentials. ⺠Dependence of the cyclotron frequency on the quantum numbers n, l and s.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 376, Issue 45, 1 October 2012, Pages 2838-2841
Journal: Physics Letters A - Volume 376, Issue 45, 1 October 2012, Pages 2838-2841
نویسندگان
K. Bakke, F. Moraes,