کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10727434 1037577 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Threading dislocation densities in semiconductor crystals: A geometric approach
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Threading dislocation densities in semiconductor crystals: A geometric approach
چکیده انگلیسی
► Geometric model describing the origin of the observed shallow levels in semiconductors threaded by a dislocation density. ► Binding charge carriers in Landau-like levels due to the presence of a density of screw dislocations. ► Bound states for a spin-half quantum particle for both repulsive and attractive Coulomb-like potentials. ► Dependence of the cyclotron frequency on the quantum numbers n, l and s.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 376, Issue 45, 1 October 2012, Pages 2838-2841
نویسندگان
, ,