| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 10727581 | 1037652 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Valence-band offset of p-NiO/n-ZnO heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We measured the ÎEV of NiO/ZnO heterojunction which use NiO as the epitaxial layer. ⺠The NiO/ZnO heterojunction has a type-II band alignment with ÎEV of 1.47 eV. ⺠The ÎEV of NiO/ZnO at different growth sequence of ZnO and NiO layers are different.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 375, Issue 16, 18 April 2011, Pages 1760-1763
Journal: Physics Letters A - Volume 375, Issue 16, 18 April 2011, Pages 1760-1763
نویسندگان
Zhi-Guo Yang, Li-Ping Zhu, Yan-Min Guo, Wei Tian, Zhi-Zhen Ye, Bing-Hui Zhao,