کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10728072 | 1037824 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and electronic properties of boron-doped double-walled silicon carbide nanotubes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structural and electronic properties of boron-doped double-walled silicon carbide nanotubes Structural and electronic properties of boron-doped double-walled silicon carbide nanotubes](/preview/png/10728072.png)
چکیده انگلیسی
The effects of boron doping on the structural and electronic properties of (6,0)@(14,0) double-walled silicon carbide nanotube (DWSiCNT) are investigated by using spin-polarized density functional theory. It is found that boron atom could be more easily doped in the inner tube. Our calculations indicate that a Si site is favorable for B under C-rich condition and a C site is favorable under Si-rich condition. Additionally, B-substitution at either single carbon or silicon atom site in DWSiCNT could induce spontaneous magnetization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 375, Issue 2, 1 December 2010, Pages 174-179
Journal: Physics Letters A - Volume 375, Issue 2, 1 December 2010, Pages 174-179
نویسندگان
Somayeh Behzad, Rostam Moradian, Raad Chegel,