کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1115002 | 1488458 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MOSFET Scaling Crisis and the Evolution of Nanoelectronic Devices: The Need for Paradigm Shift in Electronics Engineering Education
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
علوم انسانی و اجتماعی
علوم انسانی و هنر
هنر و علوم انسانی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper briefly discusses the development of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) scaling and its crisis and the evolution of the new nanoelectronic devices and their potential applications both in analog and digital circuits. The paper also discusses the need to introduce nanoelectronic devices education in the electrical engineering curricula in the Gulf Cooperation Countries (GCC).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Procedia - Social and Behavioral Sciences - Volume 102, 22 November 2013, Pages 432-437
Journal: Procedia - Social and Behavioral Sciences - Volume 102, 22 November 2013, Pages 432-437