کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1141187 | 956767 | 2008 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Three-dimensional quantum simulation of multigate nanowire field effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
کنترل و سیستم های مهندسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Detailed numerical methods for the three-dimensional quantum simulation of the multigate nanowire field effect transistors in the ballistic transport regime are presented in this work. The device has been modeled based on the effective mass theory and the non-equilibrium Green’s function formalism, and its simulation consists of solutions of the three-dimensional Poisson’s equation, two-dimensional Schrödinger equations on the cross-sectional planes, and one-dimensional transport equation. Details on numerical techniques for each of the simulation steps are described, with a special attention to the solution of the most CPU demanding two-dimensional Schrödinger equation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Mathematics and Computers in Simulation - Volume 79, Issue 4, 15 December 2008, Pages 1060–1070
Journal: Mathematics and Computers in Simulation - Volume 79, Issue 4, 15 December 2008, Pages 1060–1070
نویسندگان
Mincheol Shin,