کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1141193 | 956767 | 2008 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A compact model for the I–V characteristics of an undoped double-gate MOSFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
کنترل و سیستم های مهندسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An analytic model for the I–V characteristics of a symmetric, undoped, double gate MOSFET is presented. The model is two-dimensional and extends recent work by Chen and Taur. The formulae involve the LambertW function recently used by Ortiz-Conde to obtain threshold voltage approximations of an undoped single gate MOSFET. The drift diffusion equations are also solved numerically and our approximate solution for the Fermi potential is shown to be in close agreement with the exact numeric solution. We present a compact model for the complete I–V characteristics of an undoped double gate MOSFET.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Mathematics and Computers in Simulation - Volume 79, Issue 4, 15 December 2008, Pages 1116–1125
Journal: Mathematics and Computers in Simulation - Volume 79, Issue 4, 15 December 2008, Pages 1116–1125
نویسندگان
Hedley C. Morris, Alfonso Limon,