Domain wall nucleation and propagation in spin-transfer torque switching with thermal effects

ما شبیه سازی های میکرو مغناطیسی را برای مطالعه سوئیچینگ مغناطیسی ناشی از گشتاور اسپین در اتصالات تونل مغناطیسی مغناطیسی انجام می دهیم. اثرات تراکم و درجه حرارت جریان در فرآیند سوئیچینگ با دقت مطالعه شده است. سپس یک روش برای محاسبه زمان تعویض قطعی با توجه به اثر حرارتی به حساب می آید. زمان جابجایی کمتر تحت تاثیر دما بستگی دارد؛ با این حال، به عنوان چگالی کنونی کاهش می یابد، اثر درجه حرارت در زمان سوئیچ شدن بیشتر و بیشتر قابل توجه است. فرایند سوئیچینگ با شبیه سازی های میکرو مغناطیسی از طریق ساختن و انتشار دیواره دامنه نشان داده شده است. این پدیده ها با تجربیات تجربی اخیر سازگار است. ما همچنان پیشنهاد می کنیم یک روش برای محاسبه زمان سوئیچ بر اساس هسته دیجیتال دامنه و تئوری انتشار و مقایسه زمان سوئیچینگ با آن دسته از تقریب ماکرو اسپین. این یافته ها نشان می دهد که زمان سوئیچینگ از شبیه سازی های میکرو مغناطیسی بسیار کوتاه تر از تقارن های چرخش مغناطیسی است. تقریب ماکرو اسپین به دلیل پیش بینی های چرخشی منسجم بیش از حد تخمین می زند.