کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1513151 | 1511208 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Absolute Quantification of Gettering Efficiency from Luminescence Images
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A multidiode simulation determines the absolute solar cell efficiency gain due to gettering. The simulation predicts current/voltage characteristics of lateral inhomogeneous industrial solar cells from luminescence images measured before and after gettering or any other processing step. Improved lifetime distributions lead to a predicted increase in solar cell efficiency Δηabs = +0.46% for a POCl3 diffusion on multicrystalline silicon wafers. The simulative approach determines the gettering efficiency of any process step on any wafer material without preselection.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 27, 2012, Pages 129-134
Journal: Energy Procedia - Volume 27, 2012, Pages 129-134