کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1513216 | 1511208 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Laser Ablation Mechanism Of Silicon Nitride Layers In A Nanosecond UV Regime
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Selective laser ablation of silicon nitride (SiNx) layers is a crucial technological step to achieve alternative front side metallization like electrochemical contact. In this work, we discuss the mechanism of laser ablation with a nanosecond UV laser source. A model with two thresholds corresponding to the melting threshold of silicon and the ablation threshold of silicon nitride is proposed. A finite element method is used to solve the heat transfer equation and describe the ablated SiNx surface for a single laser pulse. Numerical results are compared to optical microscopy measurements of the ablated zone.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 27, 2012, Pages 516-521
Journal: Energy Procedia - Volume 27, 2012, Pages 516-521