کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1515054 | 1511230 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structure and characteristics of laser crystallized thin amorphous Si films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Pure amorphous Si thin films deposited on oxidized crystalline Si surface (111) were crystallized by picosecond UV laser pulses. The Raman scattering spectra show that pulse energy of 330 mJ/cm2 is enough to fully crystallize Si film and further increase of the energy does not improve crystallinity. A large grained polycrystalline Si was obtained as revealed by surface analysis. A significant increase in carrier mobility was observed after laser crystallization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 3, 2011, Pages 42-45
Journal: Energy Procedia - Volume 3, 2011, Pages 42-45