کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1515078 | 994532 | 2010 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of heterojunctions based on airless spray deposited CuInS2 thin films on different underlayers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterization of heterojunctions based on airless spray deposited CuInS2 thin films on different underlayers Characterization of heterojunctions based on airless spray deposited CuInS2 thin films on different underlayers](/preview/png/1515078.png)
چکیده انگلیسی
The SEM showed that the thickness of the SnO2, ZnO, In2S3 and CuInS2 are 0.529; 0.684; 0.267 and 0.507 μm respectively. The optical band gap of the CuInS2 absorber material is 1,51 eV. The electrical properties of these structures are analysed from current-voltage (I-V) characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 2, Issue 1, August 2010, Pages 91-101
Journal: Energy Procedia - Volume 2, Issue 1, August 2010, Pages 91-101
نویسندگان
N. Kamoun Allouche, T. Ben Nasr, N. Kamoun Turki, M. Castagne,