کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
171037 | 458430 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physical properties of chemically deposited Sb2S3 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Semiconducting Sb2S3 thin films were prepared on SnO2:(F)/glass substrates from an aqueous medium using chemical bath techniques at low temperatures (40–70 °C). X-ray diffraction (XRD) shows that the films are well crystallized with the stibnite structure. Scanning electron microscopy (SEM) reveals homogenous and well distributed spherical grains, indicating the formation of uniform thin films. The Sb2S3 films display good optical properties with a direct band gap of about 2.30 eV. The refractive index (n) of the investigated films was determined from optical reflectance data with a value in the range of 2.5 to 3.3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Comptes Rendus Chimie - Volume 14, Issue 5, May 2011, Pages 471–475
Journal: Comptes Rendus Chimie - Volume 14, Issue 5, May 2011, Pages 471–475
نویسندگان
H. Maghraoui-Meherzi, T. Ben Nasr, N. Kamoun, M. Dachraoui,